SQJ476EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2285228-SQJ476EP-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJ476EP-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SQJ476 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 23A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 700 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) | |
| Andere Namen | SQJ476EP-T1_GE3DKR SQJ476EP-T1_GE3CT SQJ476EP-T1_GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SQJ459EP-T1_GE3Vishay Siliconix
TLV431BCDBZRTexas Instruments
FDMQ8205Aonsemi
SQJ402EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SI34061-A-GMSkyworks Solutions Inc.
KSZ8081RNDCA-TRMicrochip Technology
PM8800ASTMicroelectronics
SIR632DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix
NVMFS5C680NLT1Gonsemi