SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2287903-SIR632DP-T1-RE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIR632DP-T1-RE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 150 V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SIR632 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | ThunderFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 29A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 7.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 740 pF @ 75 V | |
| Verlustleistung (max.) | 69.5W (Tc) | |
| Andere Namen | SIR632DP-T1-RE3TR SIR632DP-T1-RE3CT SIR632DP-T1-RE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
CSD19534Q5ATexas Instruments
SI34061-A-GMSkyworks Solutions Inc.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR622DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LDC1612DNTTTexas Instruments
PDS5100-13Diodes Incorporated
