SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2273106-SI7818DN-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7818DN-T1-E3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 150 V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7818 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.2A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 3.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) | |
| Andere Namen | SI7818DN-T1-E3TR SI7818DNT1E3 SI7818DN-T1-E3CT SI7818DN-T1-E3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
FDMC86244onsemi
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
V8PA12-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division
NCP51810AMNTWGonsemi
AON7254Alpha & Omega Semiconductor Inc.
STL7N10F7STMicroelectronics
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon Technologies
SI7898DP-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMS86105onsemi