FDMS86105
MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2263159-FDMS86105
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDMS86105
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | FDMS86 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta), 26A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 645 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) | |
| Andere Namen | FDMS86105DKR 2156-FDMS86105-OS FDMS86105CT FDMS86105-ND FDMS86105TR ONSONSFDMS86105 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
ST2080STRSMC Diode Solutions
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
RS07D-M-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FDMS86104onsemi
SISH892BDN-T1-GE3Vishay Siliconix
SM353230-181N7YBourns Inc.
BAS7002VH6327XTSA1Infineon Technologies
FDMC86260onsemi