PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
NOVA-Teilenummer:
312-2272570-PSMN102-200Y,115
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
PSMN102-200Y,115
Standardpaket:
1,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Basisproduktnummer | PSMN102 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30.7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1568 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 113W (Tc) | |
| Andere Namen | 1727-5227-6 568-6544-2-ND 568-6544-1-ND 1727-5227-2 PSMN102-200Y T/R-ND 1727-5227-1 PSMN102200Y115 568-6544-6-ND PSMN102-200Y,115-ND 568-6544-6 PSMN102-200Y T/R 568-6544-2 568-6544-1 934061323115 |
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