IPC100N04S52R8ATMA1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-34
Basisproduktnummer	IPC100
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2600 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	75W (Tc)
Andere Namen	IPC100N04S52R8ATMA1-ND 2156-IPC100N04S52R8ATMA1 INFINFIPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1CT IPC100N04S52R8ATMA1TR IPC100N04S52R8ATMA1DKR SP001418102

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!