IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
NOVA-Teilenummer:
312-2282384-IPC50N04S55R8ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPC50N04S55R8ATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-33 | |
| Basisproduktnummer | IPC50N04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 13µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1090 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 42W (Tc) | |
| Andere Namen | IPC50N04S55R8ATMA1CT 2156-IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1TR IPC50N04S55R8ATMA1DKR SP001418130 INFINFIPC50N04S55R8ATMA1 |
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