SQ4425EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
NOVA-Teilenummer:
312-2361475-SQ4425EY-T1_BE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ4425EY-T1_BE3
Standardpaket:
2,500
P-Channel 30 V 18A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SQ4425 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3630 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 6.8W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SQ4425EY-T1_BE3DKR 742-SQ4425EY-T1_BE3CT 742-SQ4425EY-T1_BE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- SI4425DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ4483BEEY-T1_GE3Vishay Siliconix
- BSO301SPHXUMA1Infineon Technologies
- SI4459BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4425FDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- FDS6679AZonsemi
- DMG4407SSS-13Diodes Incorporated
- SQ4425EY-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ4483EY-T1_BE3Vishay Siliconix
- SI4491EDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ4431EY-T1_BE3Vishay Siliconix
- SQ4435EY-T1_BE3Vishay Siliconix





