SQ4425EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
NOVA-Teilenummer:
312-2278263-SQ4425EY-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ4425EY-T1_GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 18A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SQ4425 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3630 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 6.8W (Tc) | |
| Andere Namen | SQ4425EY-T1_GE3DKR SQ4425EY-T1_GE3CT SQ4425EY-T1_GE3TR SQ4425EY-T1_GE3-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- SI4425DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ4483BEEY-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ4435EY-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ4401EY-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ4425EY-T1_BE3Vishay Siliconix


