IPT026N10N5ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Basisproduktnummer	IPT026
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™5
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	27A (Ta), 202A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 158µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerSFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	8800 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Andere Namen	448-IPT026N10N5ATMA1DKR 448-IPT026N10N5ATMA1TR SP003883420 448-IPT026N10N5ATMA1CT

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