FDWS9508L-F085
MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2282480-FDWS9508L-F085
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDWS9508L-F085
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | FDWS9508 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±16V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4840 pF @ 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 214W (Tj) | |
| Andere Namen | FDWS9508L-F085OSDKR FDWS9508L-F085OSCT FDWS9508L-F085OSTR FDWS9508L-F085-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- IPD90N10S4L06ATMA1Infineon Technologies
- DMN2300U-7Diodes Incorporated
- PDS760-13Diodes Incorporated
- 2N7002-7-FDiodes Incorporated
- SQS415ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
- RXM-433-LRLinx Technologies Inc.
- SI7155DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- B3FS-1002POmron Electronics Inc-EMC Div
- A5976GLPTR-TAllegro MicroSystems
- FDWS9510L-F085onsemi
- FDMS4435BZonsemi
- USB2514B-I/M2Microchip Technology










