SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2281314-SI7155DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7155DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7155 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen III | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 31A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 12900 pF @ 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Andere Namen | SI7155DP-T1-GE3DKR SI7155DP-GE3 SI7155DP-T1-GE3CT SI7155DP-T1-GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
3005P-1-202Bourns Inc.
SI7145DP-T1-GE3Vishay Siliconix
L9333MDSTMicroelectronics
VN800PSTR-ESTMicroelectronics
SQJ409EP-T1_GE3Vishay Siliconix
AD8606ARMZ-REELAnalog Devices Inc.
SIS443DN-T1-GE3Vishay Siliconix
