TSM4ND65CI
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
NOVA-Teilenummer:
312-2264279-TSM4ND65CI
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TSM4ND65CI
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | ITO-220 | |
| Basisproduktnummer | TSM4 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 596 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 41.6W (Tc) | |
| Andere Namen | 1801-TSM4ND65CI TSM4ND65CI-ND TSM4ND65CI RLG TSM4ND65CI C0G |
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