TK200F04N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
NOVA-Teilenummer:
312-2288832-TK200F04N1L,LXGQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK200F04N1L,LXGQ
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220SM(W) | |
| Basisproduktnummer | TK200F04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 214 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 14920 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
| Andere Namen | TK200F04N1L,LXGQ(O 264-TK200F04N1LLXGQCT 264-TK200F04N1LLXGQDKR 264-TK200F04N1LLXGQTR |
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