TJ200F04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
NOVA-Teilenummer:
312-2288766-TJ200F04M3L,LXHQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TJ200F04M3L,LXHQ
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220SM(W) | |
| Basisproduktnummer | TJ200F04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 460 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | +10V, -20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1280 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
| Andere Namen | 264-TJ200F04M3LLXHQCT TJ200F04M3L,LXHQ(O 264-TJ200F04M3LLXHQDKR 264-TJ200F04M3LLXHQTR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IPB180P04P403ATMA1Infineon Technologies
TK200F04N1L,LXGQToshiba Semiconductor and Storage
LMP8645HVMKE/NOPBTexas Instruments
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay Siliconix
IXTA140P05TIXYS
SUM110P04-05-E3Vishay Siliconix
FDB9503L-F085onsemi- IPB180P04P4L02ATMA2Infineon Technologies
- SQJQ131EL-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQM40031EL_GE3Vishay Siliconix
IFX007TAUMA1Infineon Technologies
