NP100P06PDG-E1-AY

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-263
Basisproduktnummer	NP100P06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	15000 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Andere Namen	NP100P06PDG-E1-AY-ND 559-NP100P06PDG-E1-AYCT -1161-NP100P06PDG-E1-AYCT 559-NP100P06PDG-E1-AYTR 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR

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