SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
NOVA-Teilenummer:
312-2288816-SQM110P06-8M9L_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQM110P06-8M9L_GE3
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-263 (D²Pak) | |
| Basisproduktnummer | SQM110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 110A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7450 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 230W (Tc) | |
| Andere Namen | SQM110P06-8M9L_GE3-ND SQM110P06-8M9L_GE3TR SQM110P06-8M9L_GE3CT SQM110P06-8M9L_GE3DKR |
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