SSM6J414TU,LF
MOSFET P CH 20V 6A UF6
NOVA-Teilenummer:
312-2275712-SSM6J414TU,LF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SSM6J414TU,LF
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | UF6 | |
| Basisproduktnummer | SSM6J414 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23.1 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 6-SMD, Flat Leads | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1650 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) | |
| Andere Namen | SSM6J414TULF(TDKR SSM6J414TULF(TTR SSM6J414TU,LF(T SSM6J414TULFDKR SSM6J414TULF SSM6J414TU,LFCT SSM6J414TULF(TCT SSM6J414TULF(TCT-ND SSM6J414TULF(TDKR-ND SSM6J414TULFCT SSM6J414TULF(TTR-ND SSM6J414TULFTR SSM6J414TU,LFDKR SSM6J414TU,LFTR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- ADA4817-1ACPZ-R7Analog Devices Inc.
- ADG721BRMZAnalog Devices Inc.
- SSM6J424TU,LFToshiba Semiconductor and Storage
- FDT434PFairchild Semiconductor
- AOD417Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and Storage
- SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- LT1128CS8#PBFAnalog Devices Inc.
- FDC606Ponsemi
- BSS138onsemi
- FDC658APonsemi
- RTQ045N03TRRohm Semiconductor











