IMW65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
NOVA-Teilenummer:
312-2299480-IMW65R083M1HXKSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IMW65R083M1HXKSA1
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO247-3-41 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | CoolSiC™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 24A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 11.2A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.3mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | +20V, -2V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 624 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) | |
| Andere Namen | 448-IMW65R083M1HXKSA1 |
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