SCTWA90N65G2V

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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

NOVA-Teilenummer:

312-2297758-SCTWA90N65G2V

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SCTWA90N65G2V

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	STMicroelectronics
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-247 Long Leads
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	119A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	157 nC @ 18 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-247-3
Vgs (Max)	+22V, -10V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3380 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	565W (Tc)
Andere Namen	497-SCTWA90N65G2V