BSC026N02KSGAUMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Basisproduktnummer	BSC026
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	25A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	52.7 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±12V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	7800 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Andere Namen	BSC026N02KS GDKR-ND BSC026N02KSGAUMA1TR BSC026N02KSGAUMA1DKR SP000379664 BSC026N02KS GCT BSC026N02KS G BSC026N02KSG BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GCT-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KS GTR-ND BSC026N02KS GDKR BSC026N02KSGAUMA1CT 2156-BSC026N02KSGAUMA1 INFINFBSC026N02KSGAUMA1

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