BSC046N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2280307-BSC046N02KSGAUMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSC046N02KSGAUMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-1 | |
| Basisproduktnummer | BSC046 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A (Ta), 80A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 50A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4100 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) | |
| Andere Namen | BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1CT BSC046N02KSGAUMA1DKR BSC046N02KS GTR-ND BSC046N02KSG BSC046N02KS GCT-ND SP000379666 BSC046N02KS GTR BSC046N02KSGAUMA1TR BSC046N02KS GDKR BSC046N02KS GDKR-ND BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GCT |
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