FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2273085-FQB22P10TM
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQB22P10TM
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | FQB22P10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 22A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 11A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1500 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 125W (Tc) | |
| Andere Namen | FQB22P10TMCT FQB22P10TM-ND FQB22P10TMDKR FQB22P10TMTR |
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