SI3437DV-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2282207-SI3437DV-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI3437DV-T1-E3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 150 V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-TSOP | |
| Basisproduktnummer | SI3437 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 510 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | |
| Andere Namen | SI3437DV-T1-E3DKR SI3437DV-T1-E3CT SI3437DV-T1-E3TR SI3437DVT1E3 |
In stock Brauche mehr?
0,60940 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- INA180A2IDBVRTexas Instruments
- 74AUP1T17GWHNexperia USA Inc.
- SI1308EDL-T1-GE3Vishay Siliconix
- SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
- FDN86246onsemi
- SML-D12U1WT86Rohm Semiconductor
- SN74AUP1G08DCKTTexas Instruments
- SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
- NTMTSC002N10MCTXGonsemi
- SI3437DV-T1-GE3Vishay Siliconix
- BSS123NH6327XTSA1Infineon Technologies
- LMV301MG/NOPBTexas Instruments






