SI3437DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2285412-SI3437DV-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI3437DV-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 150 V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-TSOP | |
| Basisproduktnummer | SI3437 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 510 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | |
| Andere Namen | SI3437DV-T1-GE3DKR SI3437DV-T1-GE3CT SI3437DVT1GE3 SI3437DV-T1-GE3TR |
In stock Brauche mehr?
0,39780 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- BSS84PH6327XTSA2Infineon Technologies
- SS10100FL-AU_R1_000A1Panjit International Inc.
- V20202C-M3/4WVishay General Semiconductor - Diodes Division
- UCC27519DBVRTexas Instruments
- SUD50P10-43L-GE3Vishay Siliconix
- SI3437DV-T1-E3Vishay Siliconix
- SI3440DV-T1-E3Vishay Siliconix
- V8PM15HM3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
- RSQ015P10TRRohm Semiconductor
- SUD90330E-GE3Vishay Siliconix
- NTMFS006N12MCT1Gonsemi
- NTMFS5C670NLT3Gonsemi
- BAT54S,215Nexperia USA Inc.








