IPB120P04P404ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-3
Basisproduktnummer	IPB120
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 340µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	205 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	14790 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Andere Namen	IPB120P04P404ATMA1-ND IFEINFIPB120P04P404ATMA1 448-IPB120P04P404ATMA1CT 2156-IPB120P04P404ATMA1 448-IPB120P04P404ATMA1DKR 448-IPB120P04P404ATMA1TR SP000842270

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