BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2282427-BSZ100N06NSATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSZ100N06NSATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TSDSON-8-FL | |
| Basisproduktnummer | BSZ100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 40A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1075 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) | |
| Andere Namen | BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 BSZ100N06NSATMA1CT BSZ100N06NSATMA1DKR BSZ100N06NSATMA1-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- NCV7329D10R2Gonsemi
- BTS6163DAUMA1Infineon Technologies
- BSZ040N06LS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC059N04LSGATMA1Infineon Technologies
- BSZ100N06LS3GATMA1Infineon Technologies
- BSZ042N06NSATMA1Infineon Technologies
- NCV7342MW3R2Gonsemi
- BSC123N08NS3GATMA1Infineon Technologies
- NCV380HMUAJAATBGonsemi
- NCV7344MW3R2Gonsemi
- NCV7240BDPR2Gonsemi
- NCV7428D15R2Gonsemi
- BTS70202EPAXUMA1Infineon Technologies











