BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2282245-BSC123N08NS3GATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSC123N08NS3GATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-1 | |
| Basisproduktnummer | BSC123 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Ta), 55A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 33A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1870 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 66W (Tc) | |
| Andere Namen | BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC123N08NS3 GTR-ND BSC123N08NS3GATMA1TR BSC123N08NS3 GTR BSC123N08NS3G BSC123N08NS3 GDKR BSC123N08NS3 GCT-ND BSC123N08NS3 G-ND BSC123N08NS3 GCT BSC123N08NS3 G BSC123N08NS3GATMA1CT BSC123N08NS3 GDKR-ND BSC123N08NS3GATMA1DKR-NDTR-ND SP000443916 BSC123N08NS3GATMA1DKR |
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