BSZ180P03NS3EGATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TSDSON-8
Basisproduktnummer	BSZ180
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9A (Ta), 39.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 48µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±25V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2220 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 40W (Tc)
Andere Namen	BSZ180P03NS3E G BSZ180P03NS3EGATMA1TR BSZ180P03NS3E G-ND BSZ180P03NS3EGATMA1CT BSZ180P03NS3EGATMA1DKR SP000709740

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