BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2361540-BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TSDSON-8 | |
| Basisproduktnummer | BSZ086 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4785 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | |
| Andere Namen | BSZ086P03NS3E GCT-ND BSZ086P03NS3EGATMA1DKR BSZ086P03NS3EG BSZ086P03NS3EGATMA1CT BSZ086P03NS3E G-ND SP000473016 BSZ086P03NS3E GDKR-ND BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3E GCT BSZ086P03NS3E GDKR BSZ086P03NS3E GTR-ND BSZ086P03NS3EGATMA1TR |
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