SI4442DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2288800-SI4442DY-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4442DY-T1-E3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SI4442 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 15A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) | |
| Andere Namen | SI4442DY-T1-E3CT SI4442DY-T1-E3TR SI4442DYT1E3 SI4442DY-T1-E3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SI4435DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
LMC6464AIM/NOPBTexas Instruments- SN65HVD55DRTexas Instruments
6TPB330MALPanasonic Electronic Components
3290W-1-503Bourns Inc.
MIC833YM5-TRMicrochip Technology
74AVC8T245BQ-Q100JNexperia USA Inc.
BSS138NH6327XTSA2Infineon Technologies
USB2517I-JZXMicrochip Technology
