IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2275537-IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPN80R1K2P7ATMA1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT223 | |
| Basisproduktnummer | IPN80R1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 300 pF @ 500 V | |
| Verlustleistung (max.) | 6.8W (Tc) | |
| Andere Namen | IPN80R1K2P7ATMA1DKR SP001664998 IPN80R1K2P7ATMA1-ND IPN80R1K2P7ATMA1TR IPN80R1K2P7ATMA1CT |
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