IPN80R900P7ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-SOT223
Basisproduktnummer	IPN80R900
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ P7
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	350 pF @ 500 V
Verlustleistung (max.)	7W (Tc)
Andere Namen	SP001665000 IPN80R900P7ATMA1CT IPN80R900P7ATMA1-ND IPN80R900P7ATMA1TR IPN80R900P7ATMA1DKR

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