IRFH5302TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2291239-IRFH5302TRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRFH5302TRPBF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PQFN (5x6) Single Die | |
| Basisproduktnummer | IRFH5302 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 32A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4400 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 100W (Tc) | |
| Andere Namen | IRFH5302TRPBFDKR SP001575636 IRFH5302TRPBFCT IRFH5302TRPBFTR 2156-IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF-ND INFINFIRFH5302TRPBF |
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