BSZ0910LSATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Basisproduktnummer	BSZ0910
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™ 5
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	18A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1100 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 37W (Tc)
Andere Namen	SP005424269 448-BSZ0910LSATMA1CT 448-BSZ0910LSATMA1TR 448-BSZ0910LSATMA1DKR

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