BSZ0911LSATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Basisproduktnummer	BSZ0911
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™ 5
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	12A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	670 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	-
Andere Namen	448-BSZ0911LSATMA1CT 448-BSZ0911LSATMA1DKR 448-BSZ0911LSATMA1TR SP005424280

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