NVD5117PLT4G-VF01

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MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2282846-NVD5117PLT4G-VF01

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

NVD5117PLT4G-VF01

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	DPAK
Basisproduktnummer	NVD5117
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11A (Ta), 61A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4800 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	4.1W (Ta), 118W (Tc)
Andere Namen	NVD5117PLT4G-VF01TR NVD5117PLT4G-VF01DKR NVD5117PLT4G-VF01CT