RD3L07BATTL1
PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
NOVA-Teilenummer:
312-2294597-RD3L07BATTL1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RD3L07BATTL1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 70A (Ta) 101W (Ta) Surface Mount TO-252
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 70A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.7mOhm @ 70A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 6700 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 101W (Ta) | |
| Andere Namen | 846-RD3L07BATTL1CT 846-RD3L07BATTL1DKR 846-RD3L07BATTL1TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
ATP304-TL-Honsemi
NVATS5A302PLZT4Gonsemi
RD3L03BATTL1Rohm Semiconductor
DMPH6023SK3-13Diodes Incorporated- RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor
- NVATS5A114PLZT4Gonsemi
SQD50P06-15L_GE3Vishay Siliconix
STD35P6LLF6STMicroelectronics
TJ60S06M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and Storage- TJ60S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- SUD50P06-15L-E3Vishay Siliconix
- TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- NVATS5A304PLZT4Gonsemi
- ATP113-TL-Honsemi
- MCU60P06-TPMicro Commercial Co
