SIDR626LDP-T1-RE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2274113-SIDR626LDP-T1-RE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIDR626LDP-T1-RE3

Standardpaket:

3,000

N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8DC
Basisproduktnummer	SIDR626
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	5900 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Andere Namen	742-SIDR626LDP-T1-RE3DKR 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR 742-SIDR626LDP-T1-RE3CT