SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
NOVA-Teilenummer:
312-2269476-SIDR626LEP-T1-RE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIDR626LEP-T1-RE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 48.7A (Ta), 218A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8DC | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 48.7A (Ta), 218A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5900 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 7.5W (Ta), 150W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SIDR626LEP-T1-RE3CT 742-SIDR626LEP-T1-RE3TR 742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
NTMFS5H600NLT1Gonsemi
NVMTS0D7N06CLTXGonsemi
FDB0170N607LFairchild Semiconductor
LTC4231HMS-2#WPBFAnalog Devices Inc.
