IRLD014PBF

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	4-HVMDIP
Basisproduktnummer	IRLD014
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.4 nC @ 5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (Max)	±10V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	400 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	1.3W (Ta)
Andere Namen	*IRLD014PBF

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