BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
NOVA-Teilenummer:
312-2280924-BSR802NL6327HTSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSR802NL6327HTSA1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SC59-3 | |
| Basisproduktnummer | BSR802 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.7A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 2.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 3.7A, 2.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 30µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 2.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1447 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) | |
| Andere Namen | BSR802NL6327HTSA1CT BSR802NL6327HTSA1DKR BSR802N L6327-ND BSR802N L6327 BSR802N L6327INTR SP000442484 BSR802NL6327HTSA1TR BSR802N L6327INCT BSR802N L6327INDKR-ND BSR802NL6327 BSR802N L6327INDKR BSR802N L6327INTR-ND BSR802N L6327INCT-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- BSR202NL6327HTSA1Infineon Technologies
- JS202011CQNC&K
- SI3415A-TPMicro Commercial Co
- FDN340Ponsemi
- IRLD014PBFVishay Siliconix
- SB130-TDiodes Incorporated
- FDMA908PZonsemi
- BSH103,235Nexperia USA Inc.
- T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and Storage
- INA181A2QDBVRQ1Texas Instruments









