SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
NOVA-Teilenummer:
312-2285212-SIA429DJT-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIA429DJT-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Basisproduktnummer | SIA429 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1750 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Andere Namen | SIA429DJT-T1-GE3DKR SIA429DJT-T1-GE3TR SIA429DJT-T1-GE3CT SIA429DJTT1GE3 |
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