SIA445EDJT-T1-GE3

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6 Single
Basisproduktnummer	SIA445
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Max)	±12V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2180 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	19W (Tc)
Andere Namen	SIA445EDJT-T1-GE3DKR SIA445EDJT-T1-GE3TR SIA445EDJT-T1-GE3-ND SIA445EDJT-T1-GE3CT

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!