BSC252N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
NOVA-Teilenummer:
312-2281363-BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSC252N10NSFGATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 7.2A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-1 | |
| Basisproduktnummer | BSC252 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7.2A (Ta), 40A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.2mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 43µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1100 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
| Andere Namen | BSC252N10NSF GCT BSC252N10NSF GDKR BSC252N10NSF G BSC252N10NSFGATMA1CT BSC252N10NSFGATMA1TR BSC252N10NSFGATMA1DKR SP000379608 BSC252N10NSF G-ND BSC252N10NSF GCT-ND BSC252N10NSF GDKR-ND BSC252N10NSF GTR-ND BSC252N10NSF GTR |
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