SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2285464-SQ2337ES-T1_BE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ2337ES-T1_BE3
Standardpaket:
3,000
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SQ2337 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.2A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 620 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SQ2337ES-T1_BE3DKR 742-SQ2337ES-T1_BE3CT 742-SQ2337ES-T1_BE3TR |
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