BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2281871-BSS83PH6327XTSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSS83PH6327XTSA1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT23 | |
| Basisproduktnummer | BSS83PH6327 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 330mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 330mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.57 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 78 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) | |
| Andere Namen | BSS83P H6327CT BSS83PH6327XTSA1DKR BSS83PH6327XTSA1TR SP000702486 BSS83P H6327TR-ND BSS83P H6327DKR BSS83P H6327DKR-ND BSS83P H6327 BSS83P H6327CT-ND BSS83PH6327XTSA1CT BSS83P H6327-ND BSS83PH6327 |
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