FQD1N80TM
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2274144-FQD1N80TM
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQD1N80TM
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | FQD1N80 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 195 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | |
| Andere Namen | 2156-FQD1N80TM-OS FQD1N80TM-ND ONSONSFQD1N80TM FQD1N80TMDKR FQD1N80TMCT FQD1N80TMTR |
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