SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2282632-SPD08P06PGBTMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SPD08P06PGBTMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 | |
| Basisproduktnummer | SPD08P06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.83A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6.2V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 10A, 6.2V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 420 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 42W (Tc) | |
| Andere Namen | SPD08P06PGBTMA1DKR SPD08P06PGINDKRINACTIVE SPD08P06PGINCT SP000096087 SPD08P06PG 2156-SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1CT SPD08P06PGINDKR SPD08P06PGINTR-ND SPD08P06P G INFINFSPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGINCT-ND SP000450534 SPD08P06PGINTR SPD08P06PGXT SPD08P06PGINDKR-ND SPD08P06PGINTRINACTIVE SPD08P06P G-ND SPD08P06PGBTMA1TR SPD08P06PGINCTINACTIVE |
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