SPB80P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
NOVA-Teilenummer:
312-2291923-SPB80P06PGATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SPB80P06PGATMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3-2 | |
| Basisproduktnummer | SPB80P06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 64A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5.5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 173 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5033 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 340W (Tc) | |
| Andere Namen | SP000096088 SPB80P06P G-ND SPB80P06PGATMA1CT SPB80P06PGXT SPB80P06PGINDKR-ND SPB80P06PGINCT SPB80P06P G SPB80P06PG SPB80P06PGINDKR SPB80P06PGATMA1DKR SPB80P06PGATMA1TR SPB80P06PGINDKRINACTIVE SPB80P06PGINCT-ND SPB80P06PGINTR SPB80P06PGINTR-ND |
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